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功率半导体器件研发工程师(2023届硕博)
面议  
  • 学历要求: 硕士
  • 工作经验: 不限
  • 更新时间: 2022-12-31
  • 招聘人数: 若干
  • 招聘对象: 应届毕业生
  • 工作地区: 北京
  • 年龄要求: 不限
  • 专业要求: 不限
职位描述:
211-功率半导体器件研发工程师 科研团队 直流研究中心 岗位职责 1.从事大功率半导体器件机理研究、芯片设计相关工作; 2.负责大功率半导体器件失效机理和性能调控方法研究工作; 3.负责芯片结构设计和参数优化、性能仿真、工艺参数仿真、版图设计工作; 4.配合工艺研发和流片相关工作。 任职要求 1.国内外正规全日制大学硕士及以上学历,电气工程、微纳电子、材料物理与化学等相关专业; 2.熟悉功率半导体器件(如晶闸管、IGBT、IGCT、MOSFET等)工作原理; 3.熟练运用Sentaurus、Silvaco等半导体设计仿真软件、熟悉半导体制造工艺者优先; 4.具有团队协作意识,工作认真,责任心强,具有较强的解决问题能力和交流沟通能力。 举报
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  • 公司规模:100 - 499人
  • 公司性质:事业单位
  • 所属行业:智能电网
  • 所在地区:北京-海淀区
联系方式
  • 联系人:田佳茹
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工作地址
  • 地址:北京市海淀区清华大学
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